三菱電機（6503）、EV向けSiC-MOSFETサンプル出荷開始; 米国に新たな共創拠点を開設
三菱電機（6503）は、電気自動車（EV）向けに設計された第5世代のSiC-MOSFET（シリコンカーバイド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）のベアダイサンプルを6月下旬より出荷開始すると発表した。同時に、同社はグローバルな共創イニシアチブの一環として、米マサチューセッツ州ケンブリッジにWestern Digital Transformation Hub「Serendie Street Boston」を開設した。
今回発表されたSiC-MOSFETは、業界をリードする低オン抵抗を特長とし、EVの効率向上に貢献することが期待される。サンプル出荷は今月下旬に始まる予定で、パワー半導体市場における同社の競争力を強化する動きと見られる。
一方、「Serendie Street Boston」は、様々な分野でイノベーションを加速させるための拠点となる。同社は、この施設を通じてデジタル変革（DX）を推進し、新たな価値創造を目指す。三菱電機の株価は本日、前日終値の¥5,952から0.3%高の¥5,968で取引されている。同社株は前日、量子コンピューティング分野での戦略的提携に関する報道があったものの、2.2%安で取引を終えていた。
三菱電機がEV向けSiC-MOSFETで競争優位を築く理由
三菱電機は、幅広い電気・電子機器を手がける日本の大手総合電機メーカーです。家電製品から産業用システム、宇宙・防衛システムまで多岐にわたる事業を展開していますが、特にパワー半導体やFA（ファクトリーオートメーション）機器、ビルシステムなどは、産業界の効率化やインフラを支える基幹技術として多くの顧客に提供され、同社の収益の柱となっています。
本日、三菱電機が電気自動車（EV）向け第5世代SiC-MOSFET（シリコンカーバイド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）のベアダイサンプルを6月下旬より出荷開始すると発表したことが、市場の注目を集めています。このSiC-MOSFETは、業界をリードする低オン抵抗を特徴とし、EVの電力効率を大幅に向上させることが期待されています。EV市場は世界的に成長が続いており、その性能を左右する主要部品であるパワー半導体における技術革新は、同社の競争力を大きく左右します。同時に、グローバルな共創イニシアチブの一環として、米マサチューセッツ州ケンブリッジにWestern Digital Transformation Hub「Serendie Street Boston」を開設したことも発表されましたが、市場はEV向け半導体の具体的な製品化をより重視しているようです。
このようなEV関連の重要な技術革新への期待が、本日、三菱電機の株価を前日終値の¥5,952から0.3%高の¥5,968へと押し上げています。
これは、例えば自動車メーカーが、既存のどのエンジンよりも燃費効率が格段に良く、かつ出力も高い新型エンジンを開発し、その量産化に向けてサンプル出荷を開始するようなものです。この技術がEVの性能向上に直結し、競合他社に先駆けて市場投入することで、同社の製品がEVメーカーにとってより魅力的な選択肢となる可能性を示唆しています。
Mitsubishi Electric Corp.
三菱電機（6503）は、世界中で電気・電子機器の開発、製造、販売を手掛ける。発電設備、送配電システム、産業用自動化機器、自動車電装品、防衛・宇宙システム、情報通信システム、家電製品など、多岐にわたる製品群を展開している。具体的には、タービン発電機、変圧器、遮断器、プログラマブルロジックコントローラ、インバーター、サーボモーター、カーナビゲーションシステム、衛星通信機器、レーダー、ミサイル制御システム、エアコン、冷蔵庫、洗濯機、照明器具などを提供。さらに、調達、物流、不動産、広告、金融などのサービスも手掛ける。同社は1921年に設立され、本社を東京に置く。